薄膜沉積技術根據成膜機理的不同，主要分為物理（lǐ）、化（huà）學、外延三大工藝。物理氣相沉積鍍膜設備，簡稱PVD真空鍍膜機。化學氣相沉積（jī）鍍膜機，簡稱為CVD鍍膜機。

      薄（báo）膜沉積技術是半導體（tǐ）、光伏等行業發展必不可少的關鍵工藝。薄膜沉積技術是指將在真空下用各（gè）種方法獲得的氣相原子（zǐ）或分子在基體材料表麵沉積以獲得離層被膜（mó）的技（jì）術。它既適合於製備超硬、耐蝕、耐熱、抗氧化的機械薄膜，又適（shì）合於（yú）製備磁（cí）記錄，信息存儲、光敏、熱敏（mǐn）、超導、光電轉換等功能薄膜；此外，還可用於（yú）製備裝飾性鍍（dù）膜。近20年來，薄膜沉積技術得（dé）到了飛速發展（zhǎn），現已被廣泛應用於機（jī）械、電子、裝飾等領域（yù）。

      PVD真（zhēn）空鍍膜機沉積速度快、沉積溫度（dù）低、物理手段對環境友好（hǎo）、更適應硬質合金精密複雜刀具的塗（tú）層。PVD是指在真空條件下利用高溫蒸發或高能粒子等物理方法轟擊靶材（cái），使靶材表麵原子（zǐ）“蒸發（fā）”並沉積在襯底表麵，沉積速率高，一般適（shì）用於各（gè）類金屬、非金屬、化合物膜層的平麵沉積。按照沉積時物理（lǐ）機製的差別，物理氣相沉積一（yī）般分為真空蒸發鍍膜技術、真空濺射（shè）鍍膜、離子鍍膜和分子束外延等。近年（nián）來（lái），薄膜技術和薄膜材（cái）料的發展突飛猛進、成果顯著，在原有基礎上，相繼出現了離子束增強沉積（jī）技術、電火花沉積技術、電子束物理氣相沉積技術和多層噴射沉積技術等。

      CVD鍍膜設備種類繁多，當前PECVD為主（zhǔ）流技（jì）術，未來市占率有望進一步提升。CVD是指利用氣態或蒸汽態的（de）物質在氣相或氣（qì）固界麵上發生反應（yīng）生成固（gù）態沉積物的過程，是近幾十年（nián）發展起來的製備無機材料的新技術。化學氣相澱積法已經廣泛用於提純（chún）物質、研製新晶體、澱積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料（liào）。這（zhè）些材料可（kě）以是氧化物（wù）、硫（liú）化物（wù）、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它（tā）們的物理功能可以通（tōng）過氣相摻雜的澱積過程精確控製。CVD鍍膜重複性和（hé）台（tái）階（jiē）覆（fù）蓋性較好，可用於SiO2、Si3N4、PSG、BPSG、TEOS等（děng）介質薄膜，以及半導體、金屬（W）、各類金屬有機化合物薄膜沉積。CVD種類繁多，根據腔（qiāng）室壓力、外部能量等不同，可大致分為 APCVD、LPCVD、SACVD、 PECVD、MOCVD等類別。CVD設備反（fǎn）應源容（róng）易獲得、鍍膜成分多樣、設備相（xiàng）對簡單、特別適用於在形狀複雜的零（líng）件表麵和內孔鍍膜（mó）。