剛了解或者剛接觸（chù）的真空鍍膜機行業時，很多人（rén）好奇，為啥蒸發真空（kōng）鍍膜設備蒸鍍材料必須要在真空狀態下，而且真空（kōng）鍍還要達到一定的（de）標準，下麵詳細介紹：

         在常壓下蒸鍍膜料無法形成理想的（de）薄膜，事實上，如在壓力不夠低 ( 或者說真空度不夠（gòu）高 ) 的情況下同樣得不到好的結果（guǒ）， 比如在10 2托數量級下蒸鍍鋁，得到的膜層不但不光亮，甚至發（fā）灰、發黑，而且（qiě）機械強（qiáng）度極差，用鬆鼠毛刷輕輕一刷即可將鋁層破壞。

        蒸鍍必須在一定的真空（kōng）條（tiáo）件下進行，這是因為：

        1、
        較高的真（zhēn）空度可以保證汽化分子的平均自由程（chéng）大於蒸發源到基底的距離。由於氣體分子的熱運動，分子之間的碰撞也是（shì）極其頻繁的，所以（yǐ）盡管氣體（tǐ）分子運動的速度相（xiàng）當的（de）高 ( 可達每秒（miǎo）幾百米 ) ，但是由於它在前進的過程中要與（yǔ）其它分子多（duō）次碰撞， 一（yī）個分子在兩（liǎng）次連續碰撞之間所走（zǒu）的距離被稱為（wéi）它的自由程， 而大量分子自（zì）由程的統計平均值就被稱為分子的平均自由程。

       由於氣體壓（yā）強與單位體積的分子數成正比， 因此平均自由程與氣體的（de）壓強亦成正比。在真空澱積薄膜過程中，當（dāng）澱積距離大於分子的平均自由程時被稱（chēng）為低（dī）真空澱（diàn）積， 而當澱積距離小於分子的平均自由程時（shí）被稱為高真空澱積。在高真空澱積時，蒸發原子 ( 或分子 ) 與（yǔ）殘餘氣（qì）體分子間的碰撞可以忽略不計，因此汽化原子是沿（yán）直線飛（fēi）向基片的，這樣保持較大動能到達基片的汽化原子即可以在基片上凝結成較牢固的膜層。在低真空澱積時（shí），由於碰撞的結果會使汽化原子的速度和方向都發生變化，甚（shèn）至可能在（zài）空間生成（chéng）蒸汽原子集合（hé）體—其道理與水蒸汽在大氣中生成霧相似。

        2、
        在較高（gāo）的真空度下可以（yǐ）減少殘餘氣體的汙染在真空度不太（tài）高的情況下， 真空室內含有眾多的殘餘氣（qì）體分子( 氧、氮、水及碳氫化合物等 ) ，它們能給薄膜的（de）鍍製帶來極大的（de）危害。它（tā）們與汽（qì）化的膜料分子碰撞使平均自由程變短（duǎn）；它們與正在成（chéng）膜的表麵碰撞並與之（zhī）反應； 它們隱藏在已形成的（de）薄膜中逐漸侵蝕薄膜；它們與蒸發源高溫化合減少其使用壽命（mìng）；它（tā）們在已蒸發的膜料表麵上形成氧化層（céng）使蒸鍍過程不能（néng）順利進行。

 
        因此，蒸（zhēng）發真空鍍膜機要鍍製膜層，必須要真空狀態下才能進行（háng）鍍膜，膜層才會牢固，才不會有汙染物等。