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CVD (化學氣相沉積)

化學氣相沉（chén）積法（fǎ）(CVD)是指（zhǐ）化學氣體或蒸汽在基（jī）質表麵反應（yīng）合成塗層或（huò）納（nà）米材料的方法，是（shì）半導體（tǐ）工業中應用（yòng）最為廣（guǎng）泛的（de）用來沉積（jī）多種材料（liào）的技術，包括大範圍的絕緣（yuán）材料，大多數金屬材料和金屬合（hé）金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個（gè）反應室內，然後他們相互之間發生化學（xué）反應，形（xíng）成一種新的材料，沉積到晶片表麵上。沉積氮化矽膜(Si3N4)就是一個很好（hǎo）的例子（zǐ），它是由（yóu）矽烷和氮反應形成的。

化學氣相沉積法是傳（chuán）統的製備（bèi）薄（báo）膜（mó）的技術，其原理是利用氣態的先驅反應物（wù），通過原子、分子間化學（xué）反應，使（shǐ）得氣態前驅體（tǐ）中的某些成分（fèn）分解，而在基體上（shàng）形成薄（báo）膜。化學氣相沉積（jī）包括常壓化學氣相沉積、等離子體（tǐ）輔助化學沉積、激光輔助化學沉積、金屬有機化合物沉積等。